ساخت نازکترین ترانزیستور جهان

محققان آمریکایی با استفاده ازلایه نازکی به ضخامت 10 اتم از جنس دی سلنید تنگستن موفق به ساخت نازکترین ترانزیستورجهان شدند.

کد خبر: ۱۱۸۱۴۳۴

تاریخ: ۲۵ مرداد ۱۳۹۳ - ۱۲:۳۰

به گزارش گروه دانش خبرگزاری دانا (دانا خبر) به نقل ازستاد ویژه توسعه فناوری نانو، با استفاده از این ترانزیستورمی توان نمایشگرهای لایه نازک انعطاف پذیر تولید کرد.

دنیای الکترونیک مدت ها است که در رویای ساخت تلویزیون های قابل رول شدن به سرمی برد، سال گذشته سامسونگ موفق به ساخت تلفن هوشمندی شد که صفحه انحنا داری دارد در حالی که این تلفن انعطاف پذیر نیست.

به تازگی پژوهشگران یک گام دیگر به این هدف نزدیک شده اند، محققان آزمایشگاه ملی آرگونه موفق به ساخت نازکترین ترانزیستور لایه نازک دو بعدی انعطاف پذیر جهان شدند، این ترانزیستور 10 لایه اتمی ضخامت دارد، ابعاد آن به اندازه مقدار رشد ناخن انسان در هر ثانیه است.
ترانزیستورها درتمام ادوات الکترونیکی وجود دارند وبه گونه ای طراحی شده اند که با زبان صفر و یک کار کنند. ترانزیستورهای لایه نازک برای ساخت نمایشگرها بسیارمناسب هستند، در حال حاضر تمام تلفن های هوشمند و نمایشگرها از ترانزیستورهای لایه نازک ساخته شده اند.

معیارخوب بودن یک ترانزیستوربه نرخ خاموش و روشن شدن آن بستگی دارد، این نرخ در واقع بستگی به این دارد که الکترون با چه سرعتی از ترانزیستورعبور کند.

سرعت حرکت الکترون در ترانزیستور ساخته شده توسط این گروه، صدها بار سریع تر از ترانزیستورهای موجود در بازاراست.

در ترانزیستورهای رایج در بازار، با خم شدن، ترک هایی روی ترانزیستور ایجاد شده و عملکرد آن را تغییر می دهد در حالی که در این ترانزیستور، با خم شدن هیچ ترکی ایجاد نشده و ساختار ترانزیستور تغییری نمی کند.

یکی از مزایای این ترانزیستورها آن است که در محدوده دمایی مختلف از 320- درجه فارنهایت تا 250+ درجه فارنهایت کار می کند.

این گروه تحقیقاتی از لایه های دی سلنید تنگستن برای ساخت این ترانزیستور استفاده کردند و پس از آن اقدام به افزودن حافظه و مدار منطقی به این لایه کردند تا با این کار نه تنها ترانزیستور بلکه یک نمایشگر واقعی ساخته شود.

نتایج این پژوهش در قالب مقاله ای با عنوان «All Two-Dimensional, Flexible, Transparent, and Thinnest Thin Film Transistor» در نشریه Nano Letters به چاپ رسیده است.