حافظه جدید آی بی ام 50 برابر سریع ترازحافظه های فلش و ارزان

محققان شرکت IBM با استفاده از یک قالب ذخیره سازی موسوم به phase change memory (PCM) نوع جدید از حافظه های نوری را ساختند که برای اولین بار در هر سلول آن سه بیت اطلاعات ذخیره می شود.

کد خبر: ۱۲۰۹۶۲۴

تاریخ: ۰۱ خرداد ۱۳۹۵ - ۱۱:۲۸

به گزارش خبرگزاری دانا،این قالب ذخیره سازی از سال ها قبل وجود داشته است؛ اما همواره توان ذخیره سازی آن محدود به دو بیت اطلاعات در هر سلول بوده است.
قرار است این حافظه جدید به زودی در انواع تجهیزات الکترونیکی، از گوشی های تلفن همراه گرفته تا دیتاسنترها (مرکز داده ها) مورد استفاده قرار گیرد.
حافظه PCM اولین نمونه از نسل جدید حافظه هایی است که هم ویژگی های DRAM و هم ویژگی های حافظه های فلش را دارند و به منظور پاسخگویی به یکی از بزرگترین چالش های صنعت فناوری اطلاعات، ساخته شده اند.
در اغلب گوشی ها و کامپیوترهای امروزی حافظه DRAM به عنوان حافظه فعال سیستم و حافظه فلش به عنوان ابزار ذخیره سازی بلندمدت مورد استفاده قرار می گیرد.
با افزایش ظرفیت حافظه PCM به سه بیت اطلاعات در هر سلول، هزینه ساخت این نوع حافظه کاهش چشمگیری می یابد. بدین ترتیب قیمت آن از حافظه های DRAM کمتر و بسیار نزدیک به حافظه های فلش می شود.
سرعت حافظه ‍PCM حدود 10 برابر کمتر از DRAM است؛ اما برخلاف آن با خاموش شدن دستگاه، پاک نمی شود. طول عمر PCM حداقل 10 میلیون چرخه ذخیره سازی است که به معنی ضمانت مادام العمر عملکرد آن است. محققان IBM معتقدند می توانند سرعت حافظه PCM را تا 70 برابر سرعت DRAM افزایش دهند.
گزارش کامل این تحقیقات در نشریه IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and Systems منتشر شده است.