به گزارش خبرگزاری دانا؛ محققان دانشگاه تگزاس موفق به ساخت لیزر نیمه‌هادی بسیار نازکی شدند که می‌توان آن را در ادوات الکترونیکی به کار برد. این لیزر قابلیت استفاده روی زیرلایه‌های سیلیکونی را داشته و موجب افزایش ظرفیت و کارایی محصول نهایی می‌شود. وایدونگ ژو حمایت مالی 600 هزار دلاری از دفتر تحقیقات ارتش آمریکا برای انجام یک پروژه سه ساله دریافت کرده است. هدف از این پروژه ایجاد بلورهای فتونیک چاپی و ارائه فناوری آزمایشگاه روی تراشه با استفاده از سیلیکون است.
ژو می‌گوید: «شرکت‌های بزرگ نظیر اینتل و IBM در حال استفاده از این فناوری در مراکز محاسباتی پیشرفته خود هستند. در حال حاضر هدف، کوچک‌سازی، افزایش سرعت و کاهش مصرف انرژی است.»
ژو پیش از این یک حمایت مالی 935 هزار دلاری از دفتر تحقیقات نیروی هوایی آمریکا برای انجام یک پروژه سه ساله دریافت کرده بود. او با همکاری محققانی از دانشگاه ایلینویز به دنبال لیزرهایی قدرتمند با کارایی بالا است. در این پروژه ژو و همکارانش موفق به ثبت 3 پتنت مرتبط با این فناوری شدند و همچنین بیش از 270 مقاله در نشریات مختلف چاپ کرده و در کنفرانس‌ها ارائه کردند. تحقیقات پیشین او منجر به دستاوردهایی شد که در نهایت موانع مهمی در مسیر استفاده از این فناوری روی تراشه سیلیکونی برداشته شد.
این گروه تحقیقاتی یک لیزر غشائی با ضخامت کمتر از یک میکرون را که با پلتفورم اکسید سیلیکون تطابق دارد، تولید کردند. خلاقیت اصلی در این مسیر، ادغام یک ماده نیمه‌هادی با بلور فتونیک سیلیکونی بود. با این کار می‌توان لیزر را به‌طور مستقیم روی تراشه سیلیکونی ایجاد کرد.
این گروه تحقیقاتی معماری‌های متعددی از لیزر را بررسی کرده و در حال ساخت آن هستند. از این فناوری در سیستم‌های مخابراتی و محاسباتی پیشرفته می‌توان استفاده کرد.
ژو می‌گوید: « ما به دنبال ابزاری بودیم که بتوان آن را با تراشه ادغام کرد. ما در حال حاضر به دنبال استفاده از این فناوری در حوزه‌های مختلف نظیر پزشکی هستیم.»