امروزه فناوری‌های بکار گرفته شده در تولید قطعات مختلف رفته رفته پیشرفته‌تر می‌شود. حالا مشخص شده که سامسونگ اولین شرکتی است که فناوری ۱۰ نانومتری را در تولید حافظه‌های رم پردازشی جدید خود بکار گرفته و سپس در تولید رم‌های موبایلی نیز از فناوری مورد بحث بهره خواهد گرفت.
به گزارش خبرگزاری دانا، ممکن است اینتل در زمینه‌ی تولید پردازنده‌های ۱۰ نانومتری کمی تاخیر داشته باشد، اما حالا سامسونگ به سمت تولید چیپست‌های DRAM با فناوری ۱۰ نانومتری پیش رفته است. این شرکت هم اکنون چیپ‌های DDR4 هشت گیگابایتی را با فناوری مورد بحث به تولید انبوه رسانده، و دو کمپانی SK Hynix و Micron از جملمه مهم‌ترین رقبای این غول کره‌ای در این حوزه هستند. هم اکنون رم‌هایی در ظرفیت‌های ۴ گیگابایت برای لپ‌تاپ‌ها تا ۱۲۸ گیگابایت برای سرورها ساخته می‌شوند. سامسونگ همچنین وعده داده که در آینده‌ای نزدیک، DRAM های مخصوص موبایل را هم با استفاده از فناوری ۱۰ نانومتری خواهد ساخت.
سامسونگ در سال گذشته NAND flash های ۱۰ نانومتری را برای حافظه‌های SSD و نیز سایر حافظه‌های ذخیره‌سازی، عرضه کرده است. البته اینکار باعث شده تا در نهایت شاهد آن باشیم که قطعات فضای کمتری را اشغال کنند و در اندازه‌ای کوچک‌تر، کارایی بیشتری داشته باشند. سامسونگ گفته: «سختی کار زمانی بیشتر می شود که مجبور باشیم از خازن‌های استوانه‌ای شکل بسیار باریک با قابلیت ذخیره مقدار زیادی انرژی الکتریکی روی ترانزیستورهایی خیلی کوچک به اندازه ی ۱۰ نانومتر استفاده کنیم؛ برای این کار نیاز به ۸ میلیارد سلول داریم».
برای ساختن آن‌ها نیاز به فناوری الگودهی چهارتایی است که برای اولین بار در NAND flash ها بکار گرفته شد. این فناوری باعث می‌شود تا در نهایت چیپ ساخته شده ۳۰ درصد سریع‌تر عمل کند و نیز از نظر مصرف انرژی ۲۰ درصد بهینه‌تر از رم‌های ۲۰ نانومتری نسل آخر سامسونگ باشد. حافظه‌های رم جدید مورد بحث تا پایان سال جاری میلادی، ابتدا در لپ‌تاپ‌ها مورد استفاده قرار خواهد گرفت، اما به‌نظر می‌رسد که چنین قطعه‌هایی برای سازندگان رایانه‌های رومیزی هم در دسترس باشد.
سامسونگ در سال گذشته NAND flash های ۱۰ نانومتری را برای حافظه‌های SSD و نیز سایر حافظه‌های ذخیره‌سازی، عرضه کرده است. البته اینکار باعث شده تا در نهایت شاهد آن باشیم که قطعات فضای کمتری را اشغال کنند و در اندازه‌ای کوچک‌تر، کارایی بیشتری داشته باشند. سامسونگ گفته: «سختی کار زمانی بیشتر می شود که مجبور باشیم از خازن‌های استوانه‌ای شکل بسیار باریک با قابلیت ذخیره مقدار زیادی انرژی الکتریکی روی ترانزیستورهایی خیلی کوچک به اندازه ی ۱۰ نانومتر استفاده کنیم؛ برای این کار نیاز به ۸ میلیارد سلول داریم».
برای ساختن آن‌ها نیاز به فناوری الگودهی چهارتایی است که برای اولین بار در NAND flash ها بکار گرفته شد. این فناوری باعث می‌شود تا در نهایت چیپ ساخته شده ۳۰ درصد سریع‌تر عمل کند و نیز از نظر مصرف انرژی ۲۰ درصد بهینه‌تر از رم‌های ۲۰ نانومتری نسل آخر سامسونگ باشد. حافظه‌های رم جدید مورد بحث تا پایان سال جاری میلادی، ابتدا در لپ‌تاپ‌ها مورد استفاده قرار خواهد گرفت، اما به‌نظر می‌رسد که چنین قطعه‌هایی برای سازندگان رایانه‌های رومیزی هم در دسترس باشد.
