به گزارش خبرگزاری دانا از یونهاپ نیوز، سامسونگ شروع تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری را از هفته آینده در نیمه دوم سال جاری شروع خواهد کرد. این تراشه‌ها در مقایسه با مدل ۵ نانومتری آن ۳۵ درصد کاهش مساحت، ۳۰ درصد عملکرد بیشتر و ۵۰ درصد مصرف انرژی کمتر خواهد داشت. این تراشه‌های ۳ نانومتری از تغییر به طراحی Gate-All-Around (GAA) برای ترانزیستور‌ها به دست می‌آید، زیرا به کارخانه ریخته گری اجازه می‌دهد تا ترانزیستور‌ها را بدون اینکه به توانایی آن‌ها در حمل جریان آسیبی وارد شود، کوچک کند.
جو بایدن، رئیس جمهور آمریکا ماه گذشته از کارخانه سامسونگ در پیونگ تاک بازدید کرد تا در مراسم نمایش فناوری ۳ نانومتری سامسونگ شرکت کند. سال گذشته صحبت‌هایی مبنی بر اینکه این شرکت می‌تواند ۱۰ میلیارد دلار برای ساخت کارخانه ریخته گری ۳ نانومتری در تگزاس سرمایه گذاری کند، مطرح شد و با افزایش سرمایه گذاری ۱۷ میلیارد دلاری شرکت سامسونگ، انتظار می‌رود این کارخانه در سال ۲۰۲۴ شروع به کار کند.
در اکتبر سال گذشته، سامسونگ اعلام کرد که بازده فرآیند ۳ نانومتری خود به سطح مشابه فرآیند ۴ نانومتری نزدیک می‌شود. در حالی که این شرکت هرگز اعداد رسمی را نشان نداد. تحلیلگران معتقدند تراشه ۴ نانومتری سامسونگ با مشکلات بازدهی مواجه بود. باتوجه به گزارشات انتظار می‌رود نسل دوم تراشه ۳ نانومتری سامسونگ در سال ۲۰۲۳ تولید شود و نقشه راه این شرکت تولید یک تراشه ۲ نانومتری مبتنی بر MBCFET در سال ۲۰۲۵ است.
