به گزارش گروه دانش خبرگزاری دانا (دانا خبر) و به نقل از ایسنا، این حافظههای جدید که با ترکیب فناوری دوبیت در سل (X2) و سه بیت در سل (X3) ساخته شدهاند، از نیمه دوم سال 2014 به تولید انبوه خواهند رسید.
سیوا سیوارام از مدیران شرکت ساندیسک (SanDisk Corporation) میگوید: «ما از این که موفق به حفظ موقعیت خود در تولید حافظههای پیشرفته شدیم بسیار خرسند هستیم. این فناوری جدید ما را قادر میکند تا کوچکترین و کاراترین تراشههای 128 گیگابایتی جهان را تولید کنیم. ما خوشحالیم که این تراشهی جدید به ما امکان توسعهی بازار فلشهای NAND را میدهد.
در فناوری 15 نانومتری از فرآیندهای پیشرفته مختلف و همچنین نوآوریهای متعددی استفاده شده است. معماری (ABL(All-Bit-Line از الگوریتم برنامهریزی شده و طرح مدیریت ذخیرهسازی اطلاعات چند سطحی تشکیل شده است. برای تولید این نوع حافظهها عملکرد حافظه و دقت آن نسبت به انواع بزرگتر تغییری نکرده است. این فناوری در حوزههای مختلف از حافظههای قابل حمل گرفته تا حافظههای SSDs مورد استفاده قرار گرفته است.
سیوا سیوارام از مدیران شرکت ساندیسک (SanDisk Corporation) میگوید: «ما از این که موفق به حفظ موقعیت خود در تولید حافظههای پیشرفته شدیم بسیار خرسند هستیم. این فناوری جدید ما را قادر میکند تا کوچکترین و کاراترین تراشههای 128 گیگابایتی جهان را تولید کنیم. ما خوشحالیم که این تراشهی جدید به ما امکان توسعهی بازار فلشهای NAND را میدهد.
در فناوری 15 نانومتری از فرآیندهای پیشرفته مختلف و همچنین نوآوریهای متعددی استفاده شده است. معماری (ABL(All-Bit-Line از الگوریتم برنامهریزی شده و طرح مدیریت ذخیرهسازی اطلاعات چند سطحی تشکیل شده است. برای تولید این نوع حافظهها عملکرد حافظه و دقت آن نسبت به انواع بزرگتر تغییری نکرده است. این فناوری در حوزههای مختلف از حافظههای قابل حمل گرفته تا حافظههای SSDs مورد استفاده قرار گرفته است.