به گزارش خبرگزاری دانا، امروزه بشر به دلیل ارتقای آگاهیاش از بهداشت و سلامت فردی، نیازهای متفاوت و جدیدی را میطلبد و انتظار دارد تا محیط اطراف، وسایل، لباسها و هر آنچه او با آنها سروکار دارد، عاری از هرگونه آلودگی و بوی بد باشد.
از این بین منسوجات و پوششها محل مناسبی برای رشد باکتریها و قارچها هستند و در صورت وجود رطوبت، حرارت و تغذیهی کافی، باکتری در آنها رشد کرده و موجبات بیماری، بوی بد و عفونت را فراهم میآورند.
پوشش تختهای بیمارستانی، ماسکهای پزشکی و چسبهای زخم بهترین شرایط رشد باکتری و میکروارگانیسمها را ایجاد میکنند. بهکارگیری فناوری نانو در تولید این نوع پوششها، افزایش کارایی و دوام این پوششها را موجب گردیده است.
امیررضا عباسی، مجری طرح گفت: هدف از انجام این طرح بهکارگیری مواد ارزانقیمت حاوی ترکیبات مس بهمنظور تولید نانوکامپوزیت های زمینه ابریشمی ضدمیکروب بوده است.
وی افزود: استفاده از نتایج این طرح تحقیقاتی در صنعت پلیمر و نساجی، صرفهی اقتصادی را در پی دارد؛ همچنین مواد گرانقیمت وارداتی جای خود را به مواد ارزانقیمت بومی خواهند داد.
به گفته این محقق، تکنیک فراصوت یا سونوشیمی بهعنوان یکی از تکنیکهای مؤثر در سنتز مواد نانوساختار در سالهای اخیر مورد توجه قرار گرفته است.
عباسی ادامه داد: در این روش به کمک امواج فراصوت حبابهایی تولید شده و انرژی زیاد حاصل از ترکیدن این حبابها صرف شکستن پیوندها می شود؛ در این طرح از این روش جهت پراکنده کردن همگن و یکنواخت نانوذرات در زمینه پلیمری از روش سونوشیمی استفاده شده است؛ وجود این نانوذرات علاوه بر اعطای خاصیت ضد میکروبی به پلیمر، موجب بهبود خواص فیزیکی و مکانیکی نانوکامپوزیت حاصل میشود.
به گفته محقق این طرح، در این پژوهش نانوذرات اکسید مس بر روی الیاف ابریشم با استفاده از روش تابش امواج فراصوت (سونوشیمی) رشد داده شده است؛ تأثیر دما، زمان واکنش، تابش امواج فراصوت و حلال بر روی رشد نانوذرات درون الیاف مورد مطالعه قرار گرفته است.
وی با بیان اینکه همچنین مورفولوژی نانوذرات رشد داده نیز به کمک میکروسکوپ الکترونی بررسی شده استف اظهار داشت: بر اساس تصاویر میکروسکوپ الکترونی، اکسید مس به صورت کریستالی بر روی الیاف ابریشم رشد کرده است.
این تحقیقات حاصل تلاشهای دکتر امیررضا عباسی، عضو هیأت علمی دانشگاه رازی کرمانشاه و گروه تحقیقاتی ایشان در دانشکده شیمی این دانشگاه است. نتایج این کار در مجله Journal of the Iranian Chemical Society (جلد ۱۳، شمارهی ۷، سال ۲۰۱۶، صفحات ۱۲۷۳ تا ۱۲۸۱) به چاپ رسیده است.
از این بین منسوجات و پوششها محل مناسبی برای رشد باکتریها و قارچها هستند و در صورت وجود رطوبت، حرارت و تغذیهی کافی، باکتری در آنها رشد کرده و موجبات بیماری، بوی بد و عفونت را فراهم میآورند.
پوشش تختهای بیمارستانی، ماسکهای پزشکی و چسبهای زخم بهترین شرایط رشد باکتری و میکروارگانیسمها را ایجاد میکنند. بهکارگیری فناوری نانو در تولید این نوع پوششها، افزایش کارایی و دوام این پوششها را موجب گردیده است.
امیررضا عباسی، مجری طرح گفت: هدف از انجام این طرح بهکارگیری مواد ارزانقیمت حاوی ترکیبات مس بهمنظور تولید نانوکامپوزیت های زمینه ابریشمی ضدمیکروب بوده است.
وی افزود: استفاده از نتایج این طرح تحقیقاتی در صنعت پلیمر و نساجی، صرفهی اقتصادی را در پی دارد؛ همچنین مواد گرانقیمت وارداتی جای خود را به مواد ارزانقیمت بومی خواهند داد.
به گفته این محقق، تکنیک فراصوت یا سونوشیمی بهعنوان یکی از تکنیکهای مؤثر در سنتز مواد نانوساختار در سالهای اخیر مورد توجه قرار گرفته است.
عباسی ادامه داد: در این روش به کمک امواج فراصوت حبابهایی تولید شده و انرژی زیاد حاصل از ترکیدن این حبابها صرف شکستن پیوندها می شود؛ در این طرح از این روش جهت پراکنده کردن همگن و یکنواخت نانوذرات در زمینه پلیمری از روش سونوشیمی استفاده شده است؛ وجود این نانوذرات علاوه بر اعطای خاصیت ضد میکروبی به پلیمر، موجب بهبود خواص فیزیکی و مکانیکی نانوکامپوزیت حاصل میشود.
به گفته محقق این طرح، در این پژوهش نانوذرات اکسید مس بر روی الیاف ابریشم با استفاده از روش تابش امواج فراصوت (سونوشیمی) رشد داده شده است؛ تأثیر دما، زمان واکنش، تابش امواج فراصوت و حلال بر روی رشد نانوذرات درون الیاف مورد مطالعه قرار گرفته است.
وی با بیان اینکه همچنین مورفولوژی نانوذرات رشد داده نیز به کمک میکروسکوپ الکترونی بررسی شده استف اظهار داشت: بر اساس تصاویر میکروسکوپ الکترونی، اکسید مس به صورت کریستالی بر روی الیاف ابریشم رشد کرده است.
این تحقیقات حاصل تلاشهای دکتر امیررضا عباسی، عضو هیأت علمی دانشگاه رازی کرمانشاه و گروه تحقیقاتی ایشان در دانشکده شیمی این دانشگاه است. نتایج این کار در مجله Journal of the Iranian Chemical Society (جلد ۱۳، شمارهی ۷، سال ۲۰۱۶، صفحات ۱۲۷۳ تا ۱۲۸۱) به چاپ رسیده است.